Re: [問題] Electrowetting的device

[Jinuse (積極 努力 )]

就你文章裡說的droplet材料跟介面現象的探討來看

現在EWD因為droplet裡面的dye愈來愈濃讓電壓愈來愈大

你可以先用最簡單的spin coating製程使用SU8之類的材料當介電層

最上層還是一層薄薄的Teflon或是Cytop

雖然電壓大 厚度厚 但是比較不會breakdown

這樣你可以先測試你的材料(droplet)需要多少電壓 再慢慢來調整介電層材料跟厚度

因為其他的沉積製程中，材料介電常數跟厚度都是算好的，要搭配驅動電壓跟反應時間

如果是原理相關的話其實只要了解一下Lippmann-Young's equation 就可以了

希望對你有幫助囉


※ 引述《voices (總是昏睡中~)》之銘言：
: 先說明我是外行的 第一次試作 沒有MEMS製程的background
: 我主要是要作偏droplet材料跟介面現象的探討 比較偏純科學的部分
: 所以目前就是要先確定droplet下面那些layers的製程
: 就是我想問有關electrowetting的insulating layer的部分
: 我有大概查一下paper
: 每個group的做法不太一樣
: Jason Heikenfeld的是用atomic layer deposition去coate Al2O3
: 他另一篇算偏技術整理的paper有說用Plasma-enhanced CVD也可以
: 他們的device弄出來的特色就是applied voltage很低
: 我應該是可以借到Plasma-enhaced CVD (PECVD)的設備 還沒去問
: 有看交大徐文祥老師他們家一篇paper
: (要做的東西跟他們差太多 沒有看很多他們的paper)
: 他們是用SU-8當insulating layer的材料
: 厚度跟Heikenfeld是的差不多 但是要用電壓還是很大
: 而且不是很清楚SU-8曝光之類有的沒的處理方式
: (感覺去問有PECVD的lab的人應該知道要怎麼弄?)
: 目前看到最簡單的做法就是用只用Teflon coat上去電極上 (化材人的做法)
: 電壓跟徐老師家的用的差不多
: 不過他們是用ionic liquids當droplet的材料
: 也有看到用直接在Silicon wafer上面長一層SiO2當insulating layer
: 然後在coat PS當hydrophobic layer或是在上面長hydrophobic monolayer
: 總之方式五花八門 我只知道厚度跟dielectric constant會影響電壓跟角度變化
: 還有就是Heikenfeld paper裡面提到會漏電跟degrade之類的情形
: 想請問一下一般做electrowetting的人 都怎麼決定製程
: 還是大家就是照學長姐留傳下來的方式去做 Orz
: 除了直接用Teflon coat上去那個方法外
: 其他方法我都要另外去找做實驗的設備、買chemicals
: (電壓方面實驗室已經設備了 不管高壓低壓 直流交流)
: 方便度(或是說不方便度)都差不多 有點難決定要用哪個方式
: 其實我比較想用Heikenfeld的方式 可能是因為現在看的papaer大多是他的
: 但是有更簡單的方式 就會想用最簡單的那個 (直接coat Teflon)
: 不過Heikenfeld提到Teflon這種fluoropolymer films的porousity的問題
: 會導致electric breakdown
: 這樣又很難決定
: 我有想過先弄簡單的 然後開始先試做
: 邊做邊決定看要用哪種製程
: 不知版上有做相關研究的人建議是?

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◆ From: 140.113.21.168
※ 編輯: Jinuse          來自: 140.113.21.168       (09/25 20:22)
推 voices:感謝回答啦~ 我剛剛發現其實徐老師那篇paper應該是你們家發
→ voices:的 因為第一作者是范老師~ 徐老師掛很後面XD
→ Jinuse:名字都被老師掛完了 學生真可憐
推 s75287:問一下 范老師暑假有來UCLA 嘛? 我怎麼聽說回來CJ
推 s75287:但是我一整個暑假都沒看到...?
→ Jinuse:老師暑假去哈佛跟MIT應該沒去UCLA吧
推 s75287:hmm 被TK騙了....