大家好，想請教一下
目前我正利用S1818作曝光，塗佈厚度約2.5~3um
而我的wafer已在前一道製程經過蝕刻
製作出長寬高 300x35x3.5um 的凸起結構，高度3.5um正是我指的階差
我的pattern是最小線寬線距4um的連續圖案，並且橫跨這個階差
做過無數次之後發現，階差上的線寬都會比較大(過曝)
好的情況差0.5um(再現性差)，但通常會差到1~1.5um，造成線距過小
目前的想法是因為光阻的流動性，造成階差上的厚度較小，以至於過曝
不知道有沒有人做過類似製程，可以分享一下嗎?
感恩
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※ 編輯: jianhung 來自: 140.116.175.175 (04/26 18:52)