我以前做過多層SU-8
其實仔細想就知道了
只有第一層是光阻轉在Si表面，第二三四層都是光阻轉在光阻表面
兩種(PR on Si與 PR on PR)之間的力(摩擦力，附著力，表面張力, whatever)不同，
厚度當然不同，而且根據實驗經驗，"差距很大"。
S1818轉個四層少於4 microns是很合理的。
要轉厚一點可1. 轉慢一點(800rpm), 轉的時間短一點(20s-30s)，至多兩層
2. 直接使用厚光阻 AZ P4620
轉那麼多層其實是下策
老師的話，本身又沒做製程的經驗，十個有八個嘴砲又自以為
身為研究生，說服老師其實是一門大學問。共勉之。
※ 引述《jianhung ()》之銘言：
: 大家好，又來請教一下
: 最近在測試多層s1818
: 基板是Si
: 參數分為2次、3次、4次的塗佈
: 我用的是2000 rpm，軟烤90度3分鐘
: 每一次的做法都相同，僅塗一次HMDS在基板上
: 以先前的經驗，1層的厚度約2um
: 然而我發現光阻厚度不是一次一次壘加上去
: 經過4次塗佈，厚度也不超過4um
: 老師對這個結果很不以為然
: 他認為厚度應該會更厚
: 請問是因為我烘烤的程度不夠
: 還是光阻與光阻之間的附著力本來就不好呢?
: 謝謝!
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本球隊一切依法行政，謝謝指教。
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