各位板大大家好
小弟是第一次在這個板上發文 @@
廢話不多說
小弟最近在做 EWOD 相關實驗
發現有些人會使用 SU-8 當作 dielectric layer 使用
但文獻的 protocol 並未描述得很清楚
有的直接 spin coating 及 bake 後就塗上 hydrophobic layer
但有的說要曝光 顯影後 (顯影太久不就吃掉了?) 再塗 hydrophobic layer
我不知道哪個是正確的
不知道板上大大有哪位知道答案呢?
是因為曝光後可以增加 hydrophobic layer 與 photoreisit 的附著嗎??
另外有個小問題想順便問問
我現在再用另外一款的 photoreisit 在做 dielectric
可是都會出現電解的狀況.... 不知道是什麼原因
再麻煩各位大大幫助囉
感激不盡
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