作者voices (總是昏睡中~)
看板NEMS
標題Re: [問題] Photoresist as dielectric
時間Sat May 26 23:06:42 2012
我是用SU-8
但我是做最簡單的那種 就是很簡單的一片膜 沒有pattern
所以自然就不用顯影了
我猜你看到說要顯影的 應該是有要用特定pattern的吧
我不知道曝光後會不會增加hydrophobic layer的adhesion
就SU-8 + CYTOP的系統
我看paper 有的是曝光完 烤一烤後 會拿SU-8去照一下O2 plasma
paper上面解釋是說是為了增加CYTOP的adhesion
不過也有很多人的paper沒有寫這個步驟 不知道是沒有用還是就懶的寫了
我自己是沒有試過就是了
看書的話 是說照UV/ozone或plasma的確會增加CYTOP對於基材的adhesion
主要是跟一些化學結構有關
但要注意用plasma的話 表面粗超度會增加 這樣會影響EWOD的"dynamics" (想不到其他詞)
我看的paper他們用的時間都只有短短幾秒 功率也要考慮
Teflon系統的 不清楚
但是看過直接上電極的 會在電極上面做額外處理
上面講的 你有興趣的話 我在e-mail paper給你吧
另外就是可以看"Morden Fluoropolymers" edited by John Scheirs這本書
他有介紹很多
電解的話
是一開始加電壓就電解 還是一陣子之後?
可能就是膜沒有弄好吧
UV照太強之類的
不然就是電極沒弄好 短路了 可是不清楚你是不是做那種針插液珠的那種
膜用太多次也會
不然就是電壓的問題
電壓可以先算一下
就是去算surface tension可以被降到零的那個電壓
那個電壓多半就是contact anlge開始停止增加的時候
但不一定是那個值 就差不多就是在那個值付近
你要看Paper的話 我在e-mail給你
不過不是很多學者可以接受這個理論 但是算出來就都跟實驗值很合 所以就...
印象中好像用液態介質的話 誤差會比較大一點
另外就是看你是用DC field還是AC field
AC我不清楚 沒有用過
DC的話 你在改變電壓的時候的increment會影響contact anlge出來的趨勢
contact angle saturation的部分也會改變
我不知道為啥會這樣
但是我看兩篇paper + 我自己的實驗結果的確是會影響的
paper好像也有試AC的 可是我忘了他們結果是怎樣 兩篇paper是不同group 不同材料
剩下請其他版大補充~
※ 引述《ccczxzx (Pen)》之銘言:
: 各位板大大家好
: 小弟是第一次在這個板上發文 @@
: 廢話不多說
: 小弟最近在做 EWOD 相關實驗
: 發現有些人會使用 SU-8 當作 dielectric layer 使用
: 但文獻的 protocol 並未描述得很清楚
: 有的直接 spin coating 及 bake 後就塗上 hydrophobic layer
: 但有的說要曝光 顯影後 (顯影太久不就吃掉了?) 再塗 hydrophobic layer
: 我不知道哪個是正確的
: 不知道板上大大有哪位知道答案呢?
: 是因為曝光後可以增加 hydrophobic layer 與 photoreisit 的附著嗎??
: 另外有個小問題想順便問問
: 我現在再用另外一款的 photoreisit 在做 dielectric
: 可是都會出現電解的狀況.... 不知道是什麼原因
: 再麻煩各位大大幫助囉
: 感激不盡
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 71.254.65.109
※ 編輯: voices 來自: 71.254.65.109 (05/26 23:38)
推 blueseas:想請問CYTOP在台灣買的到?日本不是不賣台灣嗎? 05/27 18:11
→ ccczxzx:Cytop 台灣買的到 不過要找子公司 05/28 11:42
推 blueseas:請問樓上子公司是??? 05/29 21:57
→ ccczxzx:版上板文您就會找到囉 05/30 00:06