推 TreeMan:好厲害@@ 06/20 00:47
因為原PO目前煩惱的是2um的gap顯不出來。
我原本的猜測最有可能的原因是光罩沒有contact所以造成光透過光罩後擴散導致
指叉電極變寬，gap 變窄，但原po表示已經使用vac contact的模式。
所以我在這邊只有一步一步的除錯步驟。若是我的話，我會
1. 用顯微鏡去檢查我的Cr光罩，看看光罩在顯微鏡下是不是真的沒問題
2. 既然原PO已經使用vac contact模式，表示光罩在反覆contact之下一定已經髒了。
換做是我我會徹底清洗一次光罩表面。
3. 曝光的時候再次確認是不是鉻面朝下貼著wafer(這真的有可能搞錯)
4. 原PO有使用vac contact, 但vac contact要搭配o-ring才會有用否則是百分之百白搭。
我會建議原PO檢查曝光機是否有o-ring，有的話是否有work
5. 我在美國使用的曝光機是EVG 620，最貼的模式不是Vac contac, 而是V+H模式
(vaccum + Hard contact)，所以我建議原PO調整看看什麼模式會得到最近似的線寬
甚至我建議原PO換一台曝光機試試看。
6. SU-8會脫落我還是直覺認為曝光不足cross link未完全。但也可以再確認Silicon
wafer表面是否清潔以及完全dehydration。
7. 原po線寬是用profilometer還是SEM去量的? 有的時候double check一下。
這是真的發生在我身上的事情，我之前使用的光學顯微鏡就可以在圖片上測線寬。
有一陣子發覺所有線寬都變細了差距到0.5 um。交叉測試很久之後才確定是
顯微鏡有被動到所以線寬不準。
8. 照一下SEM 看一下你的結構夠不夠垂直。很多時候黃光技巧參數做不好的時候
結構上下不夠垂直差距到兩個micron, 這剛好是原PO的gap寬度，所以不可不慎。
以上就是參數外的檢驗方式。若以上都沒問題的話那八九成要從參數著手去改了。
參數的話我看了一下原PO給的資料，大抵上都還好，唯有
上面推文有說了。datasheet上推薦的是95度。而且hotplate若加上鋁箔，
有些討論是說表面溫度會降低個五到十度左右。這樣一來一往差距離95度更大!
確實有些文獻是利用較低的溫度去做baking, 但是這意味著要大幅增加baking 時間。
原PO並沒有增加baking時間。而且其實我本身用低溫去做SU-8確實都會失敗脫落。
另外SU-8某些系列也的確建議先由65度C以及95度C分兩個階段考，
甚至是用ramp的方式由65度C上升至95度C
在原PO要求線寬準確的情況下，的確值得一試。
所以
以上是小弟的看法。還歡迎板上眾多高手一起分享。
※ 引述《alfudimas (開始拼畢業!!)》之銘言：
: 我最近在做SU-8，遇到一些問題
: 先說一下我的實驗大概內容
: 我在做梳狀結構 也就是一根一根長方形的beam (或稱finger)
: 長度95um 寬度5um 高度10um
: beam和beam之間的gap是2um和3um兩種設計
: 我是使用過期四年(但保存方法還算良好)的 SU-8 2010
: 目前遇到的問題是
: (1)用原廠的datasheet內的總能量去曝光
: gap會低於原設計的2um和3um (比對結果認為是過曝)
: 降低曝光時間後，gap有增加，但附著度變差，甚至顯影時會脫落
: (2)且顯影時，會發生本來附著好好的
: 但因顯影時間過久(datasheet的顯影時間3min)，我又增加2~3min以上)
: 圖案因而脫落，與您所說的只要cross-linked，顯影很久都不會脫落的結果不同
: 不知道是不是因為您的圖案面積比我的大很多??
: (3)3um的設計，除了gap會縮小到2.5um左右以外，圖案大致上成功
: 但2um的設計，gap會縮小到1.5um左右以外，
: gap之間到目前為止，都無法成功顯乾淨。
: 我的SU-8製程流程
: 旋500轉30秒 3000轉40秒
: 軟烤90度 3分鐘
: 曝光總能量60~140mJ都有(曝光機37mW/s)
: 曝後烤90度 4分鐘
: 顯影3分 4分 6分 7分 都有
: IPA 10~30秒
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本球隊一切依法行政，謝謝指教。
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