請問SOI晶片中間的oxide層
是屬於哪一種沉積製作而成的??
因為我要用BOE蝕刻中間的oxide層
達到微機電結構的懸浮(release)
要計算蝕刻速率
我是參考這篇2003年 paper (作者: Williams, K.R.)
Etch rates for micromachining processing-Part II
http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1257354&tag=1
裡面的一張蝕刻速率表
http://www.flickr.com/photos/87994757@N04/8049972359/in/photostream
裡面有列出不同oxide層種類的蝕刻速率
而我在US 專利中看到一篇SOI晶片的製作專利
原網址 http://www.google.com/patents/US7985660?printsec=abstract&hl=zh-TW
#v=onepage&q=thermal%20oxi&f=false
縮網址: http://tinyurl.com/8mcygxa
裡面是說用thermal oxidation沉積而成
所以我該參考PAPER的蝕刻速率表裡 Thermal Oxide Wet-Gm的速率嗎 ?
想請教大家一下~~
感謝
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