Re: [問題] BOE蝕刻4um圓的二氧化矽

[SkyLark2001 ( )]

你敘述我比較看不明白所以現在大概就是猜測

你用BOE 蝕刻SiO2 三分鐘後深度是0.3 microns但卻有近10 microns的側向蝕刻
原本認為是蝕刻時間太久，但現在經過實驗驗證3 min開始才確定可以蝕刻出 0.3microns
的深度，所以基本上不是因為濕蝕刻時間過久。

以讓若我解讀正確，那接下來是做功課時間

第一就是BOE是 buffered oxide etch的縮寫，換句話說不同廠商的BOE，成分是不同的。
市面上常常誤用造成混淆，所以boe有可能是指 diluted HF (HF跟water)
也有可能是Buffered HF (HF 跟 NH4F)，也有可能是三者都有 (HF, H2O, NH4F)
比例更是琳琅滿目，導致蝕刻速率皆不相同。最簡單的辦法是看你用的BOE瓶子上
的蝕刻速率的標示。通常會給你一個值做參考。

第二就是前面版友推文所說，同樣是SiO2, 長成方式不同(比方說比較常見的dry/wet
thermal以及PECVD)，被蝕刻速率也不同。

接下來就是開始google一些關鍵字，比方說PECVD silicon dioxdie boe etch rate
會找到一些不同數字，接下來拿這些數字來驗證你的厚度跟時間

我發覺0.3 microns的厚度用BOE蝕刻三分鐘算是合理數字。
所以接下來要開始思考為什麼會造成10 microns的over etch

功課就做到這邊了，我因為這輩子沒做過SiO2的濕蝕刻，所以不知道側向蝕刻如此
是否合理，所以就不再獻醜了
我只能提供我的意見，看您的敘述，是在做電子元件。
半導體廠根據濕蝕刻跟乾蝕刻特性的不同，比較優劣之後一直是在使用乾蝕刻的方式
來做此一步驟(蝕刻oxide間的金屬導線)的。若貴單位或貴校的RIE壞了，其實台灣學界的
RIE 還算普遍。

給您參考一下





※ 引述《andylove0612 (漢仔)》之銘言：
: 大家好  SIO2在Pt之上，SiO2是以PECVD成長300nm，蝕刻時間太短無法蝕刻到Pt層，乾蝕刻機台有問題，所以改用濕蝕刻，謝謝各位回答@@，真想不出是什麼原因~~

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本球隊一切依法行政，謝謝指教。

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◆ From: 69.91.136.242
推 TreeMan:可是他的degree of anisotropy算出來接近17 > 1...@@ 跟我
→ TreeMan:以前的認知不太一樣，有可能會大於1嗎？
→ TreeMan:另外蝕刻結果用表面輪廓儀掃看看應該也可確認
→ SkyLark2001:所以我的意思是說，這結果不合理，但製程嘛，什麼鬼都
→ SkyLark2001:有可能發生。怎麼辦?不改黃光，最簡單就只有改乾蝕刻
→ SkyLark2001:原po的光阻我沒用過，參數以及表面結構也都沒給，要建
→ SkyLark2001:議黃光參數我還真不知怎樣給建議