[問題] 乾式蝕刻silicon

[tengyuan (tengyuan)]

我最近要在矽基板上用IPC乾式蝕刻，

查到大多都是用Cl2氣體去蝕刻，

在書上看到氟碳比模型，

也可用CF4氣體加一點02，

可增加蝕刻速率，

因為基板上有光阻，

想說用後者蝕刻的話，

因O2氣體會蝕刻光阻，

會不會破壞的光阻的形貌?

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◆ From: 140.117.32.248
→ tengyuan:用哪一種氣體來蝕刻比較好?
推 bbdd203:就我實驗室的同組人經驗  不論任何氣體
→ bbdd203:都會對光阻有物理性的表面"轟炸"
→ bbdd203:形貌一定會變
→ bbdd203:要看你光阻的用途  如果只是拿來檔乾蝕刻
→ bbdd203:建議乾脆乾蝕刻完了重新上一次? 做你後續考慮到光阻形貌
→ bbdd203:的製程
→ tengyuan:瞭解，感謝大大!