作者zenk9980 (包子)
看板NEMS
標題[問題] 關於矽晶圓等級和氧化層厚度問題
時間Fri Apr 25 13:03:57 2014
各位先進們好
小弟想請教一下4吋矽晶圓在購買時業務說有分等級
最高是prime ,最陽春的是test
想請問一下這兩種矽晶圓的差別?因為價差一倍
業務也不知道明確的差在哪裡
另外因為小弟買這Wafer是要做FET元件使用
應該是用prime比較好還是test?
FET的氧化層厚度一般來說鍍多少奈米會比較好呢
(之前的學長是用270nm 的SiO2)?
查了一些文獻也都大概在 300 nm
不過因為沒有做過所以上來請教
不好意思麻煩大家了.謝謝
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推 jeffdon2:test等級的比較常發現單片厚度不均勻以及容易碎裂 04/25 18:45
→ jeffdon2:這2個問題 04/25 18:46
→ jeffdon2:如果可以的話先跟廠商買個5片測試一下，如果test等級 04/25 18:48
→ jeffdon2:可以接受的話再考慮其他如是否p type或n type dopen 04/25 18:49
→ zenk9980:原來如此.感謝J大的回覆.我了解了.非常感謝 04/28 22:51
→ oneonephy:以價格來說prime 和test差異不大，做FET不要冒險還是 04/30 09:14
→ oneonephy:還是用prime比較好。如果單純拿wafer當載板，test就行了 04/30 09:16