[公告] 材設簡寫大補帖

[sergio (木木雲)]

不用再浪費時間查了
林北用一整天已經全查出來了

有享用的請推  帥玄體指降到零

SEM      Scanning - Electron – Microscope

HIP       Hot – Isostatic - Pressing(粉末冶金熱均壓)

AFM      Atomic – Force – Microscope

CFRP     Carbon – Fiber – Reinforced - Polymer(碳纖)

MMC     Metal - Matrix - Composite(金屬基複合材料)

PVD      Physical–vapor – deposition

LPCVD    Low - Pressure - Chemical - Vapor – Deposition

PECVD    Plasma - Enhanced - Chemical - Vapor–Deposition
(電漿輔助化學氣相沉積)

MBE      Molecular – Beam – Epitoxy 分子束磊晶)

LPE       Liquid – Phase – Epitoxy (液相磊晶)

LD        Laser – Diode

LED       Light – Emitting – Diode

LCD       Liquid – Crystal – Display

CIGS     Cu – In – Ga – Se (拿來做太陽能的)

DSSC      Dye – Sensitized – Solar – Cells(染料敏化太陽能電池化工系在玩的)

TCO      Transparent – Conductive - Oxide Thin Film(透明導電薄膜)

ITO        Indium – Tin – Oxide (銦錫氧化物導電性很好)

CNT      Carbon – Nano – Tube

HDPE     High – Density – Polyethylene(高密度聚乙烯)

PMMA     Polymeric - Methyl – Methacrylate(就是壓克力啦)

PVC       Polyvinyl – chloride(聚氯乙烯)

HBT      Heterojunction - Bipolar - Transistor(異質接面雙極電晶體)

PA         Polyamide(聚醯胺)

PV         PhotoVoltaic   光生伏打太陽能電池 (這三小?)

UV        Ultra – Violet
(通常是用可連續變動波長的UV光源照射 Sample，測出sample對不同波長光源的吸收度就
知道濃度了)

IR          Infrared - Rays
(低能量的IR照射sample時，會使原子間的偶極矩改變而使振動頻率也跟著改變，當此頻
率恰與IR頻率相同時就會吸收 IR，測定被吸收的IR就知道此物質為何。)

VCSEL      Vertical – Cavity – Surface – Emitting - Laser
(垂直面射型雷射-一種半導體雷射)

SIMS        Secondary – Ion – Mass – Spectrometer (二次離子質譜儀)

FIB         Focus - Ion - Beam(聚焦離子束)

AES         Auger – Electron – Spectroscopy(歐傑電子能譜儀)


XPS         X-ray - Photoelectron – Spectroscopy(Xray光譜儀)

XRR         X-Ray – Reflectivity(X射線反射)

RC          Rockwell – Hardness – C – Scale(洛式硬度c)

CTE         Coefficient – of – Thermal – Expansion(熱膨脹係數)

CMP         Chemical – Mechanical – Polishing(化學機械拋光)

EM          Electron – Migration
(半導體銅線越做越細 當電流密度太大的時候 會把銅原子推離晶格)

SM          Styrene – Monomer(苯乙烯單體)

MOR         Modulus - Of – Rupture(靜曲強度)

LowK         低介電常數材料k值小於3.9即稱為low k
              K正比於C
C＝(κ．ε0 ．A) / t （C：電容，κ：相對介電係數（SiO2=3.9)，ε0：介電常數，A
：電容面積，t：電容厚度。High K材料相對介電係數較高，而電容正比於介電常數，
反比於厚度 "t"）

HEMT        High – Electron – Mobility - Transistor (高電子移動率電晶體)


1 . 作答的時候請把槓槓拿掉 那是怕大家搞混才加的

2 . 有錯的請大家回文訂正一下

3 . 感覺怪怪的東西後面有註解

4 . IIB到底是什麼碗糕??? Inject in body嗎???
    好心人幫忙查一下
    (查出來囉 原來是FIB阿 )

5 . 記得要推文








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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 203.67.166.2
※ 編輯: sergio          來自: 203.67.166.2         (06/14 22:41)
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※ 編輯: sergio          來自: 203.67.166.2         (06/15 01:27)
※ 編輯: sergio          來自: 203.67.166.2         (06/15 01:28)
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