推 sergio:拿掉REMOTE 應該是JUNCTION 06/15 01:25
推 sergio:加PV註解 紅外線應該有RAY 06/15 01:29
推 submarine:pv 就是光伏元件(solar cell) ;hetrojunction 才對 06/16 00:28
※ 引述《sergio (木木雲)》之銘言：
: 不用再浪費時間查了
: 林北用一整天已經全查出來了
: 有享用的請推 帥玄體指降到零
: SEM Scanning - Electron – Microscope
: HIP Hot – Isostatic - Pressing(粉末冶金熱均壓)
: AFM Atomic – Force – Microscope
: CFRP Carbon – Fiber – Reinforced - Polymer(碳纖)
: MMC Metal - Matrix - Composite(金屬基複合材料)
: PVD Physical–vapor – deposition
: LPCVD Low - Pressure - Chemical - Vapor – Deposition
: PECVD Remote – Plasma - Enhanced - Chemical - Vapor–Deposition
^^^^^^^?
: (電漿輔助化學氣相沉積)
: MBE Molecular – Beam – Epitoxy 分子束磊晶)
: LPE Liquid – Phase – Epitoxy (液相磊晶)
: LD Laser – Diode
: LED Light – Emitting – Diode
: LCD Liquid – Crystal – Display
: CIGS Cu – In – Ga – Se (拿來做太陽能的)
: DSSC Dye – Sensitized – Solar – Cells(染料敏化太陽能電池化工系在玩的)
: TCO Transparent – Conductive - Oxide Thin Film(透明導電薄膜)
: ITO Indium – Tin – Oxide (銦錫氧化物導電性很好)
: CNT Carbon – Nano – Tube
: HDPE High – Density – Polyethylene(高密度聚乙烯)
: PMMA Polymeric - Methyl – Methacrylate(就是壓克力啦)
: PVC Polyvinyl – chloride(聚氯乙烯)
: HBT Heterostructure – Bipolar - Transistor(異質接面雙極電晶體)
我查到 Heterojuntion ?不知道哪個是對的
: PA Polyamide(聚醯胺)
PV PhotoVoltaic 光生伏打太陽能電池 (這三小?)
: UV Ultra – Violet
: (通常是用可連續變動波長的UV光源照射 Sample，測出sample對不同波長光源的吸收度就
: 知道濃度了)
: IR Infrared - Rays
^^^^^^有rays?
: (低能量的IR照射sample時，會使原子間的偶極矩改變而使振動頻率也跟著改變，當此頻
: 率恰與IR頻率相同時就會吸收 IR，測定被吸收的IR就知道此物質為何。)
: VCSEL Vertical – Cavity – Surface – Emitting - Laser
: (垂直面射型雷射-一種半導體雷射)
: SIMS Secondary – Ion – Mass – Spectrometer (二次離子質譜儀)
: IIB
我聽到是FIB?
FIB Focus - ion - Beam 聚焦離子束 (一種顯微鏡)
: AES Auger – Electron – Spectroscopy(歐傑電子能譜儀)
: XPS X-ray - Photoelectron – Spectroscopy(Xray光譜儀)
: XRR X-Ray – Reflectivity(X射線反射)
: RC Rockwell – Hardness – C – Scale(洛式硬度c)
: CTE Coefficient – of – Thermal – Expansion(熱膨脹係數)
: CMP Chemical – Mechanical – Polishing(化學機械拋光)
: EM Electron – Migration
: (半導體銅線越做越細 當電流密度太大的時候 會把銅原子推離晶格)
: SM Styrene – Monomer(苯乙烯單體)
: MOR Modulus - Of – Rupture(靜曲強度)
: LowK 低介電常數材料k值小於3.9即稱為low k
: K正比於C
: C＝(κ．ε0 ．A) / t （C：電容，κ：相對介電係數（SiO2=3.9)，ε0：介電常數，A
: ：電容面積，t：電容厚度。High K材料相對介電係數較高，而電容正比於介電常數，
: 反比於厚度 "t"）
: HEMT High – Electron – Mobility - Transistor (高電子移動率電晶體)
: 1 . 作答的時候請把槓槓拿掉 那是怕大家搞混才加的
: 2 . 有錯的請大家回文訂正一下
: 3 . 感覺怪怪的東西後面有註解
: 4 . IIB到底是什麼碗糕??? Inject in body嗎???
: 好心人幫忙查一下
: 5 . 記得要推文
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