※ 引述《Fromhell (唉~~沒那個命吧.....)》之銘言：
: ※ 引述《habright (你不要這麼可愛啦)》之銘言：
: : 意思比較像是有電子"滲透"到裡面
: : 比較少被sheilding
: : 所以可以得到E(4s)<E(3d)的結果
: : 因為4s穿透性比較強
: : 可以看課本Figure 12.34
: : 靠近核的地方 4s電子出現的機率甚至比3d大
: 所以這又會牽扯到電子的probability嗎??
: 靠近核的機率大所以穿隧效應強==>處於較低能階，被中心核綁較緊
因為穿透效應強 所以會有更靠近核的電子出現
所以最後一個電子應該填在4s上(這是最重要的結論啦)
而穿透效應會降低電子被遮蔽,增加Zff值
: ===>能量較低??
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◆ From: 61.216.40.3