製程-SOP

[SPKing (我是老大)]

1。 CLEAN： 丙酮   /   90 oC  / 5 min
            甲醇   /   90 oC  / 5 min
              水   /                    *吹乾即可

2。 光阻 ： LOR    / 4000 rpm / 40 s
            軟烤   /  120 oC  /  5 min

            S1813  / 1000 rpm / 10 s
                   / 4000 rpm / 40 s
            軟烤   /   90 oC  /  5 min  *別照到白光

3。 曝光 ： mask-1 /  170 W   / 15~20 s

4。 顯影 ： mf-319 / 40 s~
              水   /                    *吹乾

5。 鍍金 ： N-type
            AuGeNi /  1500 A  / 1~2 A/s
              Au   /  3000 A  / 3~5 A/s
            P-type
              Ti   /   200 A  /  ~1 A/s
              Pt   /   300 A  /   1 A/s
              Ti   /   200 A  /  ~1 A/s
              Au   /  3000 A  / 3~5 A/s

6。 Lift-：  丙酮  /  振洗    /  10 min
     off   顯影液  /  振洗    /  10 min
               水  /                    *吹乾

7。 CLEAN： repeat STEP 1。


----中場休息分隔線，通常稱以上為第一道製程，以下第二道----


8。熱退火：  RTA   /  380 oC  / 5 min

9。 CLEAN： repeat STEP 1。

10。光阻 ： S1813  / 1000 rpm / 10 s
                   / 4000 rpm / 40 s
            軟烤   /   90 oC  /  5 min  *別照到白光

11。曝光 ： mask-2 /  170 W   / 15~20 s

12。顯影 ： mf-319 / 40 s~
              水   /                    *吹乾

13。iso- ： 蝕刻液 /  P+I厚度~ / 20 s ++*一邊量厚度，算速率
    late

            GaAs蝕刻配方  => 硫酸：雙氧水：水
                               1 ：  1   ：8
            InGaP蝕刻配方 => 鹽酸：水
                               1 ： 1

14。CLEAN： repeat STEP 1。


--完成。

黃色字體部分表示每次做都要抓參數~隨時調整時間。
要考核機台=>曝光機、e-gun、suface profiler。

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.132.208.131
※ 編輯: SPKing          來自: 220.132.208.131      (10/09 00:50)
推 shoau:太專業啦～～～　　　未看先推
推 shum:cool
推 tniop:丙酮和甲醇好像沸點只有五十幾和六十幾度西
→ SPKing:那就讓它噗吱噗吱的燒…XD 不是啦 反正我們這邊的儀器…
→ SPKing:帳面上的90度…好像也不會沸就是 T___T
推 bbsboss:心中有點感動...妹妹..good job....
推 shoau:我有看到它在滾.....