[轉錄][問題] 台積電主管面試的問題

[foolshinee (foolshinee)]

※ [本文轉錄自 Tech_Job 看板]

作者: schindlerr (wake up) 看板: Tech_Job
標題: [問題] 台積電主管面試的問題
時間: Fri Jun 23 01:46:41 2006





去台積電面試

他問了ㄧ個專業問題

我臨時想不到怎麼回答,有點難過

到現在還是不知道

有人能幫我解答嗎

問題是:

在Si substrate  上通氧氣,使Si表面氧化形成SiO2

他問說   要怎樣掌握SiO2的厚度,當SiO2厚度非常薄的時候

有什麼方法可以間接算出氧化層的厚度嗎


--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 211.74.53.87
推 omygoodness:在相同溫度下..先長一次較厚的SiO2..
推 mmx9797:我只想到橢圓儀
推 denzel520:700 degree C, 5 min...about 2.5 nm...my experiment
推 dolph:帶入電容值的計算公式好像可以
推 EatBanana:氣壓、流率、溫度影響厚度，對三變因作厚度校正曲線
推 EatBanana:橢圓儀、顯微鏡或利用光學與電性分析得厚度也是可以的
推 manest:靠夭.............這是個連他都沒把握的問題
→ manest:他說間接　那就外插吧　有些儀器quantox 可間接量測
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.229.105
※ 編輯: foolshinee      來自: 140.112.229.105      (07/13 02:01)
推 thin:對呀間接是多間接？XD  怎麼感覺下面推文都鄉民