※ 引述《foolshinee (foolshinee)》之銘言：
: ※ [本文轉錄自 Tech_Job 看板]
: 作者: schindlerr (wake up) 看板: Tech_Job
: 標題: [問題] 台積電主管面試的問題
: 時間: Fri Jun 23 01:46:41 2006
: 去台積電面試
: 他問了ㄧ個專業問題
: 我臨時想不到怎麼回答,有點難過
: 到現在還是不知道
: 有人能幫我解答嗎
: 問題是:
: 在Si substrate 上通氧氣,使Si表面氧化形成SiO2
: 他問說 要怎樣掌握SiO2的厚度,當SiO2厚度非常薄的時候
: 有什麼方法可以間接算出氧化層的厚度嗎
我想他想的太複雜了吧
直接就是切TEM 然後厚度用看的
間接就是量CV呀
不過我今天又讀到一個新方法....好像是可以由量測tunneling current
來預測CV的樣子
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