推 willhyper:大感謝！最後一個的值比我預期地差好多@@ 10/23 05:14
推 thin:XD偉哥在做什麼大事業呀?? 10/24 19:06
1.dielectric constant跟resistivity有關嗎？
我覺得無關
resistivity是與材料是否絕緣有關
而dielectric constant在我想像中是與荷在物質中的移動程度有關
首先這是permittivity ε(F/cm^2)
我們可以回到最初的定義來想
C= ε A /d
當兩片平行板中間什麼都沒有的時候（也就是真空狀態下）把這個ε定義為ε0
而放入其他介質的時候permittivity有可能是x倍的ε0
這樣的狀況下x就是該物質的介電常數(dielectric constant)
在兩片平行板中間所放的介質也可以是導電度很好的東西
只要不跟兩片平行板接觸就好，這樣所算出來的電容值就可以求得該物質介電值
與該物質導電度無關
我們平常放在這兩片平行板的中間是直接放個絕緣體
因為就想向成不會有電流通過
說到這裡還滿亂的
如果有人也有興趣或不確定的話可以幫我在meeting上問問看老師
2.MOS結構中，若gate加太大電壓，MOS會怎樣？
要看substrate是NMOS還是PMOS而定（也要看加的是正電壓還是負電壓）
不過我想你想問的應該是MOS會進入Saturation
出現depletion層
在更大的話就會breakdown了，Oxide層通常很薄
3.電荷、電場、電壓的分佈
breakdown的話應該就很複雜我不知道了orz
4. (Silicon嗎？) oxide的dielectric constant typical value
一般用法εox=3.9ε0
所以是3.9
ε0是8.85e-14F/cm^2(我亂查課本例題的)
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