工研院昨（28）日宣布，繼去年製造國內第一顆P型與N型奈米碳管場效電晶體（CNT FET）
後，電子所與化工所合作成功開發出國內首創的單層奈米碳管（SWNT）定位成長技術，可
在4至8吋矽晶片基板上製作，具備與積體電路（IC）整合的潛力，宣告奈米級電子世紀來
臨電子所奈米電子元件技術組組長蔡銘進表示，現有奈米碳管場效電晶體製作技術大多採
塗佈方式，長成的奈米碳管為隨機分佈，位置無法準確控制，對需求元件高良率的產業應
用。蔡銘進指出，近年國際先進研發團隊都朝發展可控制奈米碳管位置的製程，其中以定
位成長技術最有進展。工研院單層奈米碳管定位成長新製程開發出的碳管，具金屬性或半
導體性，在作為高效能金屬連接線，及作為奈米碳管電晶體陣列用途，具可行性。電子所
所長徐爵民表示，在IC製程微縮的趨勢下，以矽晶圓為基礎的元件製程，逐漸面臨光學與
物理學上的技術瓶頸，以及巨額研發投資的壓力。各先進國家都嚐試以各種奈米級分子製
作各式的奈米電晶體，以便能在相同晶片面積內放入比傳統多出數百倍以上的電晶體數目
。
(本文摘自：92.08.29 經濟日報)
>>more (建國理工電子報N0.46)
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