[請益] 小弟最近在研究SDRAM的指令 有些疑問想請教各位大大!!

[KEVEN0906 (A_KEVEN)]

小弟最近想要了解SDRAM的一些指令 發現有一些疑惑  辜狗大師又是找到一些簡體字
的文章,越看越不懂,希望各位大大可以幫忙解惑一下!

1. 為什麼在讀指令下的時候  會有CL的延遲?  是和儲存單元的架構有關嗎?

2. 那有讀指令有CL的延遲  寫指令怎麼沒有延遲的問題?

3. precharge和refresh的意義有點不太懂  可以說明一下什麼意義嗎?

4. 然後我看一些簡體文的討論區  有說寫為了要讓效率更好  所以會有自動
   預充電(precharge)命令  但文章中都是show出讀命令和預充電(precharge)
   的時脈圖  但沒有show出寫命令和預充電的時脈圖  是因為寫命令和預充電
   不能一起工作嗎?

5. 是否目前市面有繁體的書在說明這些命令的時脈圖可供參考?

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 122.120.5.220
→ butthad     :這個真的有點太專業了 @@"  要請高手解釋
推 tgtgl       :好深澳
→ rockman112  :對我更是無解XD"
→ Jay915      :這說來話長，你要看時序圖，它先收到位址令才傳資料
推 no1no1leo   :Electronics版 要全部都了解史密斯也能幫上一點忙
→ butthad     :誰抓啦史密斯
→ ppa         :write要先active~而write完要precharge
→ ppa         :refresh就是讓cell重新將電壓校正至準位1.5V or 0V
→ ppa         :CL=CAS LATENCY
推 chi731022   :precharge 是對 bitline，目的是預設 sensing 準位
→ chi731022   :refresh 是對 cell storage node ，目的再恢復讀取
推 chi731022   :時的電容漏電
→ chi731022   :refresh 是將電容校正至vdd or gnd
→ chi731022   :precharge 是預充電至 0.5*vdd