瑞薩科技和松下電器產業聯合開發成功了可確保嵌入SoC或微控制器使用的SRAM模組穩定工作的技術。目標是：即使採用45nm的Bulk CMOS製造，也可以確保穩定工作。
實際使用這一技術、以45nm CMOS工藝試製512Kbit SRAM證實：不論是內存單元面積為0.327μm2或者0.245μm2，相對於工藝的偏差變動，工作電壓的冗余範圍變大，同時在-40℃～125℃這樣大的溫度變化下，也可以實現穩定的工作。兩公司在於美國舊金山舉行的“國際固體電路會議（ISSCC） 2007”上發表了這一技術。
此次的新技術針對的是Local Vth偏差——同一晶片內相鄰電晶體Vth的偏差。為了補償這種偏差，此次新開發出了分別針對讀出和寫入的輔助電路。
具體而言，對於讀出操作，開發出了不僅包含電晶體還添加了阻抗的的讀輔助（Read Assist）電路。阻抗元件的佈局採用與內存單元的佈局一樣的形狀，通過這種結構使內存單元的偏差與電阻值的變動關聯起來。這樣就可以減小偏差帶來的影響。通過這一電路，可以實現針對溫度變化和工藝偏差的自動電壓調整功能，在讀出過程中，使確保更寬泛條件下的穩定性成為可能。
另一方面，寫入方面，開發出了採用層次結構的電源配線的寫輔助電路。也就是說，為了使以列為單位的電源線上僅僅斷開必要的位置，添加了進一步細分（8分割）的電源線。通過限定只保留必要的電源線，可以降低電源線的容量，可以實現電源線的電位高速下降至低電位。即使在最壞的條件（-40℃、最低電源電壓、最壞工藝條件）下，與不採用這一電路的情況相比，已確認可明顯改善寫入動作速度。（記者：小島 郁太郎）
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