日立製作所和瑞薩科技在ISSCC 2007上發佈了0.05mm×0.05mm×5μm的超小型RFID標簽（無線標簽）IC（演講序號：26.6）。與上屆ISSCC上發佈的0.15mm×0.15mm×7.5μm的“新一代μ晶片”相比，尺寸更小，僅為其2/27。
此次的IC採用基於SOI底板的90nm CMOS技術製成。配備有3層金屬佈線，還配備有尺寸為21μm×32μm的存儲容量為128bit的記憶體。使用另配的外置天線，可與無線標簽讀取器進行頻率為2.45GHz的通信。通信距離最大為300mm。通信時的耗電量“不足1mW”（演講者--日立製作所 中央研究所研究長 宇佐美光雄）。
與0.15mm見方的IC相同，此次的無線標簽IC也在IC的兩面配備了連接天線的電極。之所以這樣設計，其原因是：由於此次IC的尺寸較小，如過IC的兩面分別連接天線的話，將需要很高的成本。而通過在兩面配備電極，就無需對方向和位置進行微細調整了。天線採用原無線標簽的長度--6cm左右。天線與IC的粘結採用“ACF(異性導電薄膜)”。
1枚晶圓可獲得400萬個IC
記憶體的光刻採用的是電子束（EB）。採用理由如下：（1）今後，製造微細電晶體將更加容易，（2）利用電子束製造的記憶體可在400℃的高溫下確保較高的可靠性，（3）只需將獨特的ID設計圖嵌入記憶體而無需掩膜（Mask）。雖然EB設備非常貴，但是“此次1枚晶圓可獲得400萬個IC。這樣，EB的成本就不成問題了。實現了IC的超小型設計，採用高級光刻技術變得更加容易”（日立製作所宇佐美）。
製造工藝採用SOI底板，是為了提高IC與周邊寄生容量等的隔離度。“如果減小IC的尺寸，IC周圍的寄生容量等因素容易引起閂鎖效應(LATCH-UP)，有時，還會導致相反的電壓施加到IC上。此前採用的是保護環（Guard Ring），但存在的問題是容易使IC尺寸增大。要減小尺寸就必須採用SOI底板”（宇佐美）。
12μm見方的IC也納入視野
日立製作所和瑞薩科技今後還計劃進一步實現製造工藝的微細化，由65nm過渡到23nm，來製造12μm見方的IC。“採用EB，還可以實現記憶體部分的微細化”（宇佐美）。
目前面臨的課題除製造技術外，更關鍵的問題在於處理光刻圖形的電腦的處理能力。“整合大量光刻圖形的資訊處理需要耗費很長時間。這一因素直接關係到製造工藝的吞吐量”（宇佐美）
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