※ [本文轉錄自 nfsong 信箱]
作者: WeCanGo (Full_Bridge) 看板: Electronics
標題: Re: [問題] 電晶體MOS燒壞
時間: Sun Oct 14 01:35:18 2007
※ 引述《tutowuu (只有努力)》之銘言：
: 請問各位
: 如果說電晶體(MOS)因為瞬間電流過大
: 導致電晶體燒壞
: 1.請問是哪裏燒壞? 端點 製程裡面layer.....
: 2.還有還有哪些原因導致燒壞
: 謝謝大家
是Power Mos?嗎？
因為我們實驗室常常用Power Mos 我只知道Power Mos壞掉的判別方法
1.Driveｒ打壞，這時候Vgs會短路 但是Vds可能沒有
打壞的可能有Vgs超過額定電壓(雜訊)，或是Mos為壓控元件他只需要一點點的電流
去向G腳驅動，如果你前端的限流電阻太小就會使電流灌進去打穿SiO2
則有可能造成Vgs Vds全部短路，但是這種壞法並沒有聲音。
2.ds腳過壓，或Vds短路這種是大電爆 通常是接錯了 或是短路會有一點聲響。
3.ds過流 ，是你額定電流沒算好或是誤動作.短路之類的，直接飛 超大聲
整個實驗室都知道 "囧"
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