Re: [問題] 有關專利範圍的文字表達

[orsonplus (orson)]

※ 引述《falltasitic (天然呆>"<)》之銘言：
: 假設有一個半導體結構
: A層下面是B層
: A層設計的比B層還要短（技術特徵）

: 負責改我稿件的主管建議我寫成下面這樣
: 1、一個XXX結構，其包含：
:    一A層，‥‥‥
:    一‥‥‥B層，‥‥為凸出結構
...(略)
: 而且A層和B層是平行相接的
...(略)


     ███████              (A)
 ███████████          (B)


 ███████                  (A)
 ███████████          (B)

 ███████                  (A)
      ███████████     (B)

 ███████                  (A)
         █████              (B)

要是哪一種?

還是都要保護?





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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.230.1.155
※ 編輯: orsonplus       來自: 61.230.1.155         (06/04 09:08)
推 forcomet:不只這樣 如果在空白區域就填上無用的材料 就很有可能迴
→ forcomet:避掉突出的部分
→ VanDeLord:囧rz...
推 piglauhk:寫凸出結構沒問題 但建議更為"一凸出結構" 然後再於說明
→ piglauhk:書定義 突出結構是相對於何表面作突出則可
→ orsonplus:能供判斷的資料少了點,不知是否為邊沿突出?沒一個方向性
→ gogohiro:因該A層左右端各設一條假想線 B層至少一端超過該假想線
→ gogohiro:凸出有問題如果我B層下側面延伸一凸體B層是否叫也叫凸出
推 forcomet:可以  非常確定  我處理過好幾個這種案子的US答辯
→ sr0:好奇很久了想藉機問一下 如果在凸出結構前加個"一"字
→ sr0:是固定用法嗎 我向來都沒加"一"耶
→ sr0:還有 如果加這種數字 那不會被魯成"一個"凸出結構的意思嗎
→ sr0:所以其他人弄兩~三個 多數個凸出結構上去 就不叫做"一個"了
→ windsky:在功效沒有改變的情況下，也只是多數個"一凸出結構"，可能
→ windsky:被視為下位，功效又沒變不具進步性，依然視為在權利範圍內
→ windsky:通常用"一/該"是對應於英文的a/the等冠詞(?) 會比較明確
→ forman:可能都不是你圖上表達的這樣喔～這要問天然呆
推 blueson:在原PO文章的推文中，已說明可用中心線、表面或相鄰面長度
→ blueson:來做各種說明比較。以下方式參考看看：
→ blueson:一B層，在一第一方向上具有一第一長度；以及
→ blueson:一A層，與該B層相鄰而形成一接觸面，該接觸面在該第一方向
→ blueson:具有一第二長度，該第二長度小於該第一長度。
→ blueson:就算在空白區域填上其他材料C，C應該不會被認定是A層或B層
→ blueson:若有好幾段左右分離的B層，有任一B層符合claim就算落入
→ blueson:總之，寫完claim，要思考會不會被迴避，然後再加實施例
→ blueson:再修改Claim，不斷反覆，不過這樣不符合IF寫案要快的原則
推 blueson:離開IF後，已經很久沒寫案了，在IH也幾乎不處理申請案了
→ blueson:我的經驗是寫claim原則之一在於"claim的用字最好是中性的"
→ blueson:盡可能選擇大家會做相同解讀的"用字"，就是plain language