推 sputtering:能帶間隙:energy band gap | sorry Cu沒有 c.b & v.b 12/16 13:34
→ sputtering:overlap 12/16 13:38
→ sputtering:原則上在0k c.b 應該是空的,但在常溫下有熱激發,電子 12/16 13:39
→ sputtering:會發生內凜躍遷到 c.b 上,而整個數量多寡要看費米分佈 12/16 13:42
請問一下
Cu和半導體、絕緣體一樣都存在能帶間隙
是因為它的導帶中，在費米能階之上還有一個空態
所以能夠導電
是這樣嗎....?
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