[問題] 關於折射率和材料GaAs

[h816090 (～天天都是happy day～)]

第一個問題是

關於折射率在thin film 時  我們使用折射定律

所以假設電磁波進入時  介電常數不會隨著媒質而改變

才能使用snell's law  這種講法通嗎?

還是說 介電常數仍然會變化 只是變化夠小  因為要使用snell's law

都是在折射率代常數的情形下吧  這要怎麼解釋呢?

不太清楚  什麼時候介電常數的變化可以忽略耶???

第二個問題是

為什麼現在很多device 都是以GaAl為substrate來做呀?

想問一下這個材料有什麼物理或光電特性呢??

先謝謝板友們

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 61.224.77.200
推 habitant:首先 介電常數隨著媒質改變是不對的 大部分情況介電常數
→ habitant:會隨著頻率而改變 故Snell's law 必成立
推 habitant:GaAs 是 direct bandgap 的原因
推 theory:Snell's law 是來自邊界條件，Maxwell equation 沒錯的話
→ theory:邊界條件就不會錯，Snell's law 也就恆成立 (考慮介電常數)
→ h816090:h大和t大的意思  有相關嗎? 可是為什麼隨頻率改變 snell's
→ h816090:law 就會恆成立? 不懂耶?  如果是因為直接帶隙 是因為他的
→ h816090:特性嗎? 那我在去看看他的特性
→ h816090:謝謝
推 theory:我講的跟 h 兄講的沒有關係，我講的只是Snell's Law 恆成立
→ theory:至於介電常數的確是頻率的函數，跟該物質的能階有關
→ theory:我不太清楚 "介電是頻率函數 <-> Snell's Law 成立" 的邏輯
推 habitant:不好意思 我寫太快 t兄寫的是對的 XDD
→ h816090:謝謝你們
推 theory::)  如果考慮光子晶體這種東西就更麻煩..先忘了它吧 XD