推 wqert:不知道有沒有誤會: 他說的減少應該只是相對於N side doping 08/10 17:43
→ wqert:濃度的減少. 因為depletion region，如果有大量的eletron 08/10 17:43
→ wqert:也會被對面擴散過來的hole給recombine掉. 08/10 17:44
→ wqert:所以最後平衡時的濃度, 就很低了. 08/10 17:46
※ 引述《wqert (衝衝衝)》之銘言：
: ※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之銘言：
: : 如題
: : 就是為什麼在n區的空乏區
: : 電子濃度會減少...電洞濃度會增加??
: 因為在固定溫度，以及穩態的條件下
: 電子濃度乘以電洞濃度為一定值
: (其值為 ni^2)
: 電子濃度下降，電洞濃度自然就要上升.
: ni是intrinsic density
: 對矽/室溫來說是1.45E-10 1/cm^3.
: : 是因為擴散電流以多數載子電洞由p到n 電子由n到p嗎??
: : 以上是猜測~~不知道哪本書有寫~~還是我沒念懂~~
謝謝你的回應~~
不過我的問題比較接近為什麼在n區的空乏區
電子會濃度會減少??
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