Re: [問題] 同性相吸,異性相斥

[wqert (衝衝衝)]

: 推 wnglon:謝謝                                                     08/17 18:48
: → wnglon:但空乏區電場為何因順向偏壓而變小                         08/17 18:49
: → wnglon:能不能解釋因為電壓使PN接面粒子接觸面積變小               08/17 18:52

(Sorry 第三行我看不懂您想講什麼.)

要解釋空乏區電場因順向偏壓而變小很容易

你要畫圖先瞭解，未加偏壓時 (偏壓=0)
它原本的build-in電場方向是朝那一邊，
而外加順向偏壓時，
等於加了另一個反方向的電場，故變小.

你大概會問，那如果外加順向偏壓很大
會不會克服了build-in電位，轉變成另一個方向的電場嗎？
你可以思考一下這個問題可不可能發生.
(Hint: 高電流下的串聯電阻 )



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◆ From: 122.120.49.251
※ 編輯: wqert           來自: 122.120.49.251       (08/17 22:31)
推 wnglon:你就講解一下吧...
→ wqert:當forward bias一直摧下 電流呈exponential暴增
→ wqert:串聯電阻就漸漸吃掉外加電壓
→ wqert:所以元件物理的書 畫出 diode forward IV 到後段就說歐姆區
→ wqert:這diode就越來越像是一個電阻. 電流也不再依exponential.
→ wqert:就只是linear.
→ wqert:至於一直加下去，到底會不會逆轉? depletion width被壓光光
→ wqert:之後就發生了另一個方向的電場.
→ wqert:不過一般device不care這段 (可能要幾百伏特的電壓才達得到)
→ wqert:電流又超高, 非常極端的情況. 根本不必在一般diode課程討論