Re: [問題] 一些半導體物理的疑問

[sixth (衝向世界的最高峰)]

有錯請糾正 或補充
※ 引述《newwrite (jikk)》之銘言：
: 1.功函數和電子親和力在物理的解釋上有甚麼差別呢?
:   功函數Ef到真空能階差 電子親和力是Ec到真空能階差
第一次看到功函數的地方就是光電效應，用多少頻率的光可以把材料裡的電子
打出電子表面，功函數就是代表這電位差
至於為什麼是這個能量， 參考Fermi-Dirac Distribution，
理想上T=0 或是溫度很低 電子幾乎都在低能量狀態
            (不可以有外在能量干擾，熱和非實驗用的光影響到樣品)，
 在此狀況下可以打出電子的能量，功函數!!!


最外層電子所具有能量...
電子親和力關乎 最外層電子的交互作用力...

:   那物理上的差別是在哪呢?
: 2.在本質半導體中 費米能階會出現在能隙中央
:   但是費米能階定義為出現電子為50%機率的能階
    看Feri-Dirac Distribution，
    或是  有高手可以證明說明 這個方程式怎麼得出來的嗎?!!!!
     請提供PAPER出處 (如果有PAPER的話)
:   那麼能隙中可能出現電子?
   電子經過激發後，可以有它被激發後的能量 只是激發狀態持不持久
   如果能隙沒有提供一個空缺給激發的電子，電子只能往下填補，

不過通常會存在 Defect， 這時能隙有可能會有LEVEL提供電子填補
  你應該在看一下電子的 Generation-Recombination

:   在定義電流時能隙中也會有電流嗎?
載子 Carrier，電子可在材料中移動或是填補空缺，
這...可被電場induce出 Drift, Diffusion current， 這看書可以知道
至於 你的樣品結構特殊， Tunneling current可是需要考慮的


: 想了很久想不出來  可能是我觀念還不很正確吧
: 好像都是定義上的問題
: 煩請各位解答  謝謝!

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◆ From: 220.132.97.24
推 wqert:電場只會induce drift current, 與diffusion current 無關.
→ sixth:電場 也是可以改變ENERGY BAND的
→ wqert:請教 電場改變band，如何影響diffusion current?
→ sixth:你指的是J=nquE  沒錯  式子沒錯，你說的也沒錯
→ sixth:只是npn不加電壓 又怎麼會造成DIFFUSION 雖然這電流是因為
→ sixth:載子梯度所造成的
→ sixth:或是MOS 不控制電壓 又怎麼會進入飽和區
→ sixth:我則是指電場可以造成 載子梯度顯著 引出Jdif的
→ wqert:您這樣講，我無法再質疑什麼.....
→ wqert:畢竟 電場造成載子梯度, 載子梯度造成diff current，
→ wqert:簡稱為電場造成diff current，語意邏輯上無不妥。
→ wqert:不過，將來如果有人說 某例子有電場卻無diff current，
→ wqert:或者 某例子 有diff current卻無電場，
→ wqert:或者 有電場、有diff current，卻寫不出兩者的關係式，
→ wqert:那您是否又得冗長的解釋呢？
→ wqert:何不簡單的回歸physical origin，所有diff current
→ wqert:都來自載子梯度的貢獻。