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※ 引述《sixth (海很藍,星光燦爛)》之銘言: : ※ 引述《zmdbkisel (法蘭西)》之銘言: : : http://www.badongo.com/file/11749605 : : 上面是paper的載點 : : 想請問一下上面用的是什原理 : : 為什要這樣做 : : 英文差,有看沒有懂 : 我看了一下, 因為我不是做這, 可能會說錯,希望有人在補充 : 這應該是作為 modulator : 至於為什麼要這樣做,這可能要比較以前的modulator和這個的優缺點 modulator是什,又是有什功能的. 在網路上找不到資料。 : 如果有兩道光(單頻) 但是如果呈現破壞性干涉,則 E=0 : modulator 就是利用相位 差去調變的。 : 你看Fig1, 可以看到 兩道光入射,一個從GROOVE那端,另一直接入射至SLIT 圖上是信號光和控制光有入射GROOVE和SLIT 為什他要這設計 : 在看FIG2, 沒有COATING的那邊, : 訊號的振幅沒有衰減,因為沒有鍍東西所以相位也部會隨 D改變 : 在看有QD的那端, : 相位差會隨光走的距離改變,振幅當然也會改變 有加QD,振幅會改變,這是想測什麼? : 如果只是一個單純的薄膜,也是會有這樣的效果 : 如果是QD的話 會對某一波長 選擇效果更強 (QD的大小 分布都要很均勻) : 因為QD會吸收 比超過某一能量的光,放出這能量個光,(PL那根PEAK 687.9nm) : 687.9 nm, a 3% change in refractive index is enough : to turn a transmission maximum into a minimum. : (FIG2 687.9nm 相位差有明顯改變) : 只是 我比較疑惑的是 我只看到利用光程還改變相位差 : 但是 看不到 利用電場來改變 順便問一下 Figure 3 、4,這圖是解釋什。 還有最後一頁的methods的theoretical framework 相位和穿透強度公式怎推來的 麻煩高手上來解答^^ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 218.166.66.223
sixth:techresearch.intel.com/articles/Tera-Scale/1419.htm 10/22 23:10
sixth:http://0rz.tw/d04WM 10/22 23:19
sixth:http://0rz.tw/164Tc 這PAPER(siliocn modulator 自己抓) 10/22 23:21
sixth:QD 的部份 只是產生electron 3D confinement 10/22 23:23
sixth:請看10922 推荐的書 去看,其道理跟QW一樣 10/22 23:24
sixth:GROOVE和SLIT的部份 我不是很確定 那應該是 導光 用的 10/22 23:26
zmdbkisel:modulator只有siliocn 這種的嗎? 10/22 23:47
sixth:那只是給你參考用的 silicon modulator還是比較好用 10/23 10:19
sixth:這PAPER 對我還是有很多盲點 例如訊號行進時發散的問題 10/23 10:19
sixth:DOT SIZE大小 和均勻度 10/23 10:20
sixth:PL的相位偏移的影響 (因為PL是會整在片樣品上 都會放光的) 10/23 10:22
sixth:補充一下 因為下面是銀 上面應該要有CAP LAYER擋住光 10/23 10:23
sixth:大小 對 MODE 的問題 10/23 10:23
sixth:還有photon 對metal (應該還好 應該不會有微弱的PLASMA產生) 10/23 10:24
sixth:我問題比你還多 @@ 在多找PAPER來看看吧 或是寫信問作者 10/23 10:25