[問題] 半導體energy gap

[h816090 (～Do or not do～)]

想問一下半導體energy gap與溫度之關係....

老師上課是說溫度越高...熱能越大...gap越小...

總覺得怪怪的...

以前看一本書是說溫度升高....熱能增加....

晶格熱振動導致載子不易往上跳??

溫度和gap有絕對關係嗎??  謝謝

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◆ From: 61.224.78.234
推 yenzhi:跟物質本身有關,半導體的conduction band很空,但金屬就很滿
→ h816090:所以跟溫度沒有絕對關係嘛?  謝謝
推 sixth:Si 4K 1.17(NP)    300K 1.2X(TO)
→ chungweitw:有關吧. 溫度越高, lattice const. 越高, gap越小
→ chungweitw:electron-phonon interaction 也會造成energy level
→ chungweitw:shifted..
→ chungweitw:sorry..我不知道 lattice const 變大的話, gap 會如何
→ chungweitw:變. 我只知道band width 會變窄.
推 huges0111:的確是lattice constant因溫度升高變大，導致bandgap變
→ huges0111:小，要怎麼算可以參它狻T態物理的書
→ h816090:lattice constant 變大  gap變小?@@感覺沒什麼關聯@@
→ h816090:固態物理嗎? 謝謝
推 sputtering:E_T=E_0-αT^2/(T+β),for Si,Ge(大施敏CH.1)
→ sputtering:一般來說溫度升高能隙變小是對的
→ h816090:謝謝喔  我會去翻翻他的書