[問題] 奈米科技展之主題~謝謝

[bmwfisher (大腸直長長)]

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作者: bmwfisher (大腸直長長) 站內: Electronics
標題: [問題] 奈米科技展之主題
時間: Sat Sep 12 23:42:27 2009

各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝
以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝
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 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系)

Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS

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以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程
解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上
問題：
1.為什麼III-V要反過來寫?
2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓?
3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程?




 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所)

High Mobility Technologies and Physics

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翻為：高流動性之技術與其物理特性
解釋為：查了這位教授的研究領域
{應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術
問題：
1.什麼流動性技術?是說電子間的流動?




 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心)

Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics
Grown on Semiconductors
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翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響
解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料
問題：
1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢?
2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思?
3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or?



 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心)

The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory

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翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體
解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體
問題：
非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料
並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體
1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM
  是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?--
2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎?





 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系)

Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100)
by STM
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翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構
問題：
1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope)
2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置?
3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是?


 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系)

Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation
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翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層
       OR
      在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化)
問題：
1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞?
2.high k也是高介電材料的意思?

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 59.105.33.201
※ bmwfisher:轉錄至看板 ChemEng                                    09/12 23:51

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 59.105.33.201
→ bmwfisher:(100)應該是晶格位置沒錯
推 Geigemachen:(100)是晶格方向,第一個座標軸上的意思
→ Geigemachen:InGaAs是砷化銦鎵,化學式In(x)Ga(1-x)As ; x可調
→ Geigemachen:k是κ的轉寫,κ:相對介電係數, ε=κ*ε0
推 Keelungman:Realization 翻成 "實現" 比較順
→ yeahbo:atomic layer deposition 是一種技術
→ yeahbo:所以應該說"在InGaAs上，以原子層沉積法制作高介電係數
→ yeahbo:材料層，作為表面鈍化"
→ yeahbo:1我會翻"以鍺與三五族材料實現超越矽-互補式金氧半技術之
→ yeahbo:金氧半場效電晶體"
推 Geigemachen:我常困惑非專業人士比較熟CMOS或"互補式金氧半"
→ Geigemachen:有些專有名詞的英文常見但意義較少懂,中文較少見
→ Geigemachen:不知道翻譯了讀者會更懂還是更不懂..
→ yeahbo:對非專業人士而言，CMOS或"互補式金氧半"都是不可理解的
→ yeahbo:專有名詞吧... XD
→ Geigemachen:所以我想問不懂的人,到底哪個看起來比較眼熟..XD
→ Geigemachen:翻譯到底要照顧懂的人與不懂的人程度多少也是學問
→ yeahbo:可是如果專有名詞都不翻譯的話，幾乎都不用翻了啊...XD
→ yeahbo:而且有些人（有些教授）不喜歡中英夾雜...
推 trumpkiller:應該寫信問這些教授
推 sputtering:感覺像一間沒人要去的公司的面試考題XDXDXD......