推 kuanun:我猜buffer layer 是因為上下兩層晶格常數有差所以才要加 10/01 19:41
→ yeahbo:但是ZnO基本上是多晶態吧...就算lattice mismatch也沒差吧 10/01 23:54
想請問一下
如果我想在一個PN junction中夾入一層buffer layer
ex n-ZnO/buffer layer/p-si
夾在中間的buffer layer必須要有哪些特性才可以
以下哪些材料可做選擇
ex. p-porous si,iTO,MgO,SiO2,AlN,GaN,si3N4
厚度大約多少即可?取得比較容易的有哪些?
謝謝
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