→ yeahbo:我猜是為了讓好不容易生成的電子電洞對不容易再次複合 09/30 23:33
推 Geigemachen:價格成本考量,低價產品用便宜但表現差的非晶矽 10/01 07:46
推 Geigemachen:多晶矽的表現較好,創了18.9%的太陽能發電效率世界記錄 10/01 07:50
→ huges0111:不是intrinsic的話，會有free carrier absorption 10/01 08:19
→ huges0111:然後就會把電子電洞吃掉 10/01 08:20
推 Geigemachen:樓上的說明可想成若不用i當發光層,則p/n導電度高很像 10/01 08:59
→ Geigemachen:屏蔽效應會使發出的光又被吸收(像金屬球中心電場為零) 10/01 09:01
→ Geigemachen:被屏蔽掉了;靜電場與電磁波電場中導電度都是損耗 10/01 09:02
推 serve:因為a-Si擴散長度太短 所以用drift電流讓電子電洞分開 10/01 23:15
→ serve:阻值高的材料電場才加的上去 10/01 23:17
→ serve:用非晶or結晶要考量基板耐熱及成本 或是HIT結構就是做在wafe 10/01 23:20
→ serve:r上面 ITO/N/I/單晶N wafer/I/P/ITO 效益可以上到20%以上 10/01 23:22