[問題] 鍵結能與能隙的關係

[h816090 (～Argon～)]

想請教一下半導體材料(Si, GaAs)

1. 鍵結能與解離能和能隙的關係? 這三者有什麼

絕對相關性嗎?

感覺前面兩者是一樣的~~但是總覺得這樣講有點怪

有物理系的高手能解答一下嗎?

在原子分子物理非常弱的我  看不太懂@@

前面兩者應該和電子親和力也有關係吧

2. 在量測拉曼時~當半導體材料鍵結變弱，波數k變小，

表示能隙也變小?? 這種說法合理嗎?

請高人指點...謝謝

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◆ From: 61.231.144.214
推 HDT:沒關係我也很弱XD
→ ATW:鍵結弱，相對應的晶格距離拉大，Eg在某區域會隨之變小，
→ ATW:可以找一下專門在研究半導體晶格能階的paper，至於拉曼不熟。
→ h816090:某個區域是什麼意思@@?
→ ATW:某區域是指如晶格距離在小於某長度時，視各結構有所不同。