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在算奈米碳管(CNT)的Eg時,Eg = 0.9/dt ,dt是奈米碳管的直徑 然後在算CNTFET時Id的公式: Id=I0 * {ln[1+exp((2*e*Vg-Eg1)/(2*kb*T))]-ln[1+exp((2*e*Vg-2*e*α*Vd-Eg2)/(2*Kb*T))]} 通常都假設CNT的直徑一樣,所以Eg1=Eg2 如果CNT的兩端直徑不一樣,所以要代入兩個Eg嗎 (Eg1=0.9/dt1, Eg2=0.9/dt2)? 假設一端的直徑是1nm,然後很均勻的隨CNT長度增加而增加到另一端的直徑是3nm 我也只要考慮兩端就好了嗎?還是CNT中間的不同直徑的部分也要考慮呢? 謝謝。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 99.57.132.92
Keelungman:兩端直徑不同的 CNT 不能用這個簡化公式 05/04 10:45
powatch:那請問要用什麼公式呢 05/04 11:06
Keelungman:沒解析解的, 要用電腦模擬 05/04 22:00