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※ 引述《h888512 (理論型嘴砲)》之銘言: : muti-domain的材料具有較大的飽和磁化強度這個可以理解,因為align後是parallel : 但為何矯頑磁力和殘存磁化率卻是single-domain時較大?? 矯頑磁力:  多磁區: 磁化時優先移動磁壁 (使得與磁場同向的磁區變大, 與磁場反向的磁區變小)  單磁區: 磁化時需整組磁矩一起翻轉.  移動磁壁 (磁區與磁區的交界) 所需抵抗的能障, 遠小於讓整組磁矩翻轉的能障,  所以後者的「矯頑磁力」較大. 殘存磁化率:  多磁區: 在磁場移走後,      能量最低態應該仍是各方向磁區的大小相近 (使空間的μH^2 積分為最小)      使得 ΣM 的累積甚小  單磁區: 在磁場移走後, 磁矩方向回到異向性能最低的地方, 磁化仍保留.  所以後者的「殘存磁化率」較大. ※ 編輯: lkkb 來自: 111.254.201.247 (06/22 18:15)
h888512:移動磁壁的同時不需要翻轉與磁場反向的domain嗎? 06/22 18:31
Keelungman:移動磁壁所需的磁場較小, 所以移動磁壁的動作會先發生 06/22 21:33
Keelungman:在磁場大到可直接翻轉磁區的強度前, 移動磁壁已經把能 06/22 21:36
Keelungman:翻轉的磁區都先翻過去了 06/22 21:36
h888512:感謝基隆男和原PO 06/22 23:57
sigmaelvis:可以推薦磁學的經典書籍嗎~~ 06/23 21:29