[問題] 半導體製程

[h888512 (速球勝負 + 45度角絕殺)]

本人不太懂半導體製程，故想問一下

STI填洞時會同時施加高頻RF(HF-RF)和低頻RF(LF-HF)

低頻RF可以用來促進silica膜的平坦度

請問是為什麼?? 跟材料特性有關嗎??

或是和特徵頻率的吸收有關??(例如增加SiO2的mobility之類的)

感謝!!

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