→ nick65415: 我是最近在一份lecture看到一段stament，說假設 10/17 21:00
→ nick65415: trap-assisted level只有一階，那它和fermi level的距 10/17 21:01
→ nick65415: 離會很接近，而之後的推導都假設二者相同來簡化運算 10/17 21:03
→ wohtp: 這些trap一般都是impurity level吧？那當然就在Fermi level 10/17 21:35
→ wohtp: 上面啊。 10/17 21:35
→ nick65415: 請問樓上的意思是? 10/18 15:23
→ wohtp: 先想想為什麼會在band gap中間出現trap level：反正不是 10/18 17:35
→ wohtp: defect就是impurity 10/18 17:35
→ wohtp: 考慮electron donor。T = 0 的時候non-interacting g.s.是 10/18 17:38
→ wohtp: valence band跟donor levels都填滿，Fermi energy當然就在 10/18 17:39
→ wohtp: 最高的donor level上面 10/18 17:39
→ wohtp: 然後，如果你也有把finite T chemical potential叫做Fermi 10/18 17:40
→ wohtp: energy的壞習慣，或者你把interaction打開了... 10/18 17:41
→ wohtp: 等式當然就會跑掉，但是通常也差不了多少 10/18 17:42
推 smisfun: 我的理解是traps是散落在能帶之間，而在fermi level之下 10/19 06:54
→ smisfun: 的traps會經常被占據，只有fermi level之上的才有辦法提 10/19 06:55
→ smisfun: 供電子上去或下來(即G-R center) 故fermi level可以近似 10/19 06:56
→ smisfun: trap-assisted level 10/19 06:56
→ nick65415: 請問s大，你的回答好像沒有提到怎麼樣才能近似?可能是 10/20 11:15
→ nick65415: 我沒弄懂，可以把它點出來嗎 10/20 11:15