[問題] 元件物理 非平衡態過量載子

[becomesonumb (貓大便)]

【出處】(習題或問題的出處)
Neamen元件物理8.3
example 8.2
可以以下在這個網址看到
http://ppt.cc/axAe


【題目】(題目的文字敘述，如有圖片亦要提供圖片)

To determine the time dependence of excess carriers in reaching a steady-
state condition.
Again consider an infinitely large,homogeneous n-type semiconductor with a
zero applied electric field. Assume that, for t<0, the semiconductor is in
thermal equilibrium and that ,for t>=0, a uniform generation rate exists
in the crystal. Calculate the excess carrier concentration as a function
of time assuming the condition of low injection.


【瓶頸】(解題瓶頸或思考脈絡，請盡量詳述以利回答者知道要從何處講解指導)

Yh(general solution) 和 Yp(particular solution)
我都解出來了
但是Yh裡面的常數我找不到邊界條件來是怎麼等於-g'τ

正常在工數裡面來說都是題目會給邊界條件的值

還是他有給我看不出來= =?

還請各位高手幫助了 謝謝

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.62.29.202
※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Physics/M.1420813977.A.563.html
→ wohtp: 題目有給t=0的邊界條件啊
→ wohtp: thermal equilibrium ==> δp = 0
→ wohtp: 你的問題是這個嗎？
→ becomesonumb: 依照這樣,那不就變成整個式子都是0嗎= =?
→ becomesonumb: 而且他是說t<0的時候才是 熱平衡的狀態