微算機實驗（七）

[supergothere (幸福)]

其實（七），只是把資料區放在EEPROM！
用老師給的程式碼，就很好做！
所以這邊我只說明一下老師的程式碼！

其實下面是兩組程式碼，一組是資料的寫入讀出，然後沒有移動指標。
                      一組有移動指標就這樣，所以我們使用seq的
                      因為我們要一直讀取！就這樣………

建議去看英文那本的p.39頁，說的很詳細…而且才兩面！
看完下面這個程式碼就看的懂啦！
其實就是寫入讀取，只是放在EEPROM裡面，所以使用的方法一點小不同！
所以，我也不知道要說明啥。自己看英文那本比較快！
主要是EEARH,EEARL，這兩個是EEPROM的位址暫存器，EEPROM Address Register
      EEDR-EEPROM的資料暫存器，EEPROM Data Register
      EECR-EEPROM的控制暫存器，EEPROM Control Register
把這些看一下吧！

.nolist
.include "8515def.inc"
.list
rjmp RESET ;AVR重設定址
;***** Code
.cseg
.org 0x10 ;程式起始於0010H 位址
.def EEdwr =r16 ;存放要寫入EEPROM 的資料暫存器
.def EEawrl =r17 ;存放要寫入EEPROM 的低位定址暫存器
.def EEawrh =r18 ;存放要寫入EEPROM 的高位定址暫存器
EEWrite:
        sbic EECR,EEWE          ;檢測EEWE 是否為0 閒置態可作讀寫
        rjmp EEWrite            ;若EEWE=1 忙線中則跳回EEWrite 等待
        out EEARL,EEawrl        ;非忙線則將所需寫入資料的定址EEawrl
        out EEARH,EEawrh        ;及EEawrh 分別輸出到EEARL,EEARH 定址
        out EEDR,EEdwr          ;將要寫入資料EEdwr 置入EEDR 暫存器內
        cli                     ;Disable Global Interrupt
        sbi EECR,EEMWE          ;令EEMWE 設定為1 作寫入設定
        sbi EECR,EEWE           ;令 EEPROM 的EEWE=1 作資料栓鎖
        sei                     ;Enable Global Interrupt
        ret                     ;回主程式

.def EEdrd =r0 ;讀取EEDR 資料存放暫存器
.def EEardl =r16 ;存放要讀取EEPROM 的低位定址暫存器
.def EEardh =r17 ;存放要讀取EEPROM 的高位定址暫存器
EERead:
        sbic EECR,EEWE          ;檢測EEWE 是否為0 閒置態可作讀寫
        rjmp EERead             ;若EEWE=1 忙線中則跳回EEWrite 等待
        out EEARL,EEardl        ;非忙線則將所需寫入資料的定址EEardl
        out EEARH,EEardh        ;及EEardh 分別輸出到EEARL,EEARH 定址
        sbi EECR,EERE           ;令 EEPROM 的EERE=1 作資料讀取致能
        in EEdrd,EEDR           ;將EEDR 內含讀入EEdrd 暫存器內
        ret                     ;回主程式

.def EEdwr_s =r16 ;資料寫入EEPROM 的暫存器
.EQU EEMWE =02
EEWrite_seq:
        sbic EECR,EEWE          ;檢測EEPROM 是否處於正寫入資料態之
        rjmp EEWrite_seq        ;EEWE=1 則跳回等待EEWE=0 之可作讀寫處理
        in XL,EEARL             ;將EEAR 定址EEARL 放入XL 內
        in XH,EEARH             ;將EEAR 定址EEARH 放入XH 內
        LD R0,X+                ;將X 所指SRAM 內含放入R0 並令X 加1
        out EEARL,XL            ;將XL 放回EEAR 定址EEARL 內
        out EEARH,XH            ;將XH 放回EEAR 定址EEARH 內
        out EEDR,EEdwr_s        ;令EEdwr_s 輸出資料到EEDR
        cli                     ;Disable Global Interrupt
        sbi EECR,EEMWE          ;令EEMWE 設定為1 作寫入設定
        sbi EECR,EEWE           ;set EEPROM Write strobe
        sei                     ;Enable Global Interrupt
        ret

.def EEdrd_s =r20 ;
EERead_seq:
        sbic EECR,EEWE          ;檢測EEPROM 是否處於正寫入資料態之
        rjmp EERead_seq         ;EEWE=1 則跳回等待EEWE=0 之可作讀寫處理
        mov XL,EEardl           ;將EEAR 定址EEARL 放入XL 內
        mov XH,EEardh           ;將EEAR 定址EEARH 放入XH 內
        LD R0,X+                ;令X 加1
        mov EEardl,XL           ;將XL 放回EEAR 定址暫存器內
        mov EEardh,XH           ;將XL 放回EEAR 定址暫存器內
        out EEARL,XL            ;將XL 放回EEAR 定址EEARL 內
        out EEARH,XH            ;將XH 放回EEAR 定址EEARH 內
        sbi EECR,EERE           ;EERE=1 作EEPROM 資料讀取栓鎖入EEDR 內
        in EEdrd_s,EEDR         ;將讀取栓鎖於EEDR 資料放入EEdrd_s 內
        ret                     ;回主程式

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