[討論] 能蝕刻出高深寬比的DRIE設備

[jgwihi ( )]

請問一下
DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反應式離子蝕刻)設備
它可以在矽基板蝕刻出具有高深寬比，及良好垂直側壁
但如果想要在整片Wafer蝕刻出來的結果，深度要維持一致性
例如蝕刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蝕刻的深度誤差要控制在1μm以下
即199μm~201μm之間，目前做出來的結果不容易達到，
側壁也能達到幾乎接近90°
請問有什麼設備機台，或是有更高階的設備，或產學單位可以達到這樣的規格要求呢？
謝謝。

補充：或是有蝕刻設備的廠商也請提供。目前知道辛耘。
--

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.227.217.90
※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1420114602.A.D87.html
→ outzumin: ICP? lower pressure+higher plasma density
推 deepee258: 3DIC嗎？
→ jgwihi: ICP有用到SF6、 C4F8，DRIE用到SF6、 C4F8,3DIC或MEMS
※ 編輯: jgwihi (61.227.217.90), 01/01/2015 20:34:39
推 lewecool: 你要咬tsv的via嗎
→ jgwihi: TSV的via也是，用DRIE來蝕刻Trench,要放入其他component
→ jgwihi: TSV之後會用到
推 sianous: 要看選擇的氣體跟停止層金屬
→ sianous: 機台應該不難找人，如AMAT
→ jgwihi: 氣體用SF6蝕刻，C4F8鈍化，停止層的金屬待確認
推 smartl: 蝕刻設備就屬TEL跟LRM兩家比較強。你講的是uniformity 的
推 smartl: 問題。跟chemistry沒有絕對關係。high Vdc比較有機會達到
→ smartl: 不過可能會衍生出loading的問題。
推 toroandme: 小線寬si吃不動(約0.2um)  想問有其他方法嗎
推 toroandme: 吃不用深 約0.2～0.5um 乾和ICP已是過 濕有晶向問題
→ toroandme: 不知道有什麼方法 謝謝
推 smartl: 小pitch吃不動有可能是polymer太重。蝕刻氣體選擇要注意。
→ smartl: 如果使用比較depo的氣體 如C4F8 power就不要開太高。
推 SkyLark2001: 原PO不介意可至MEMS版討論，我不清楚業界但可提供學
→ SkyLark2001: 界經驗。至於t兄的問題，十之八九是黃光沒做好。
→ jgwihi: 沒有找到MEMS版，請問版名是什麼呢？
推 youbi: 要求均勻性與under cut?