Fw: [新聞] 英特爾、美光推 3D XPoint 要掀記憶體革命，將可同時取

[ljsnonocat2 (平凡是幸福)]

※ [本文轉錄自 Stock 看板 #1LkC7gBD ]

作者: neo5277 (I am an agent of chaos) 看板: Stock
標題: [新聞]
時間: Wed Jul 29 20:07:03 2015

英特爾、美光推 3D XPoint 要掀記憶體革命，將可同時取代 DRAM 與 NAND
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1.原文連結(必須檢附)：

http://goo.gl/VSvhuL

2.原文內容：


記憶體的重大突破出現！7 月 29 日美光與英特爾共同發表新型非揮發性記憶體晶片 3D
XPoint，且可同時取代 DRAM 與 NAND 在運算端的需求，據官方發表的資訊，速度將可提
升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍，處理器與資料之間的延遲
將可被降低，當分析速度加快，也開啟了更大的運用範疇，機器學習、即時追蹤疾病以及
超擬真 8K 遊戲等在未來都將成為可能。






半導體產業每隔幾年總有新型記憶體技術發表，諸如惠普、IBM、還有飛思卡爾等都嘗試
過創造要比現有技術更快、密度更高、成本更低廉或各種條件權衡之下的替代品，但大多
都因為昂貴、易碎等因素難以取代主流技術。

英特爾與美光早在 2005 年即一同攜手進軍 NAND Flash 市場，7 月 29 日又再一同發表
新的 3D XPoint 非揮發性記憶體，成為挑戰者之一，且意圖做個革新者，3D XPoint 技
術意圖取代 DRAM 與 NAND Falsh 在運算端的需求，且其強調，已在成本與功耗、效能之
間取得平衡。

3D X point 為獨立在 DRAM 與 NAND 以外的全新「Non-Volatile Memory Form Factor」
，英特爾稱此為 1989 年 NAND 快閃晶片推出以來，第一個新的記憶體類別。

memorytech
（Source：Fortune）

其不像 DRAM，3D X point 不需要電晶體就可以執行讀寫，結構上近似現在較先進的 3D
NAND  技術皆為 3D 架構，但不像 NAND 以電荷將資訊儲存於元件，而是儲存在架構中字
組線（word line）與位元線（bit line）的交叉點上，系統因此得以單獨存取每個儲存
單元，當系統能以小單位讀取與寫入資料，讀寫程序將變得更快，目前官方給的訊息，記
憶體儲存單元配置共 1,280 億個，且為可堆疊，目前初步技術堆疊至兩層、每個晶粒能
儲存 128Gb，未來將持續發展更高層的堆疊技術增加儲存容量。


英特爾聲稱，3D X point 的密度比 DRAM 高出 10 倍，速度與耐用度比 NAND 高出
 1,000 倍。先前三星推出 8Gb DDR4 DRAM，新技術的發表讓美光也放話，未來將可提供
容量高達 2TB、密度比 DRAM 高 125 倍的 DRAM 晶片。

3D X point 基本上大幅降低了處理器與資料之間的延遲，預估未來也將有更多嶄新的運
用，拓展出機器學習、即時追蹤疾病以及超擬真 8K 遊戲等發展。

英特爾表示，3D X point 將於 2015 年稍晚送樣給特定客戶，而英特爾與美光目前已開
始著手開發包含 3D X point 技術的相關產品。記憶體儲存相關調研機構 DRAMeXchange
預估，初期 3D X point  該將先出現於高階的伺服器與商業應用端。

受到新技術發表的激勵，英特爾股價 28 日上漲了 2.15% 收在 28.96 美元、美光股價更
勁揚了 9%，來到 19.75 美元。

3.心得/評論(必需填寫)：

妖術啊....

台廠有些應該會GG吧，如果他沒有找台灣而是別家的話。

不過應該還是有些時間。  1000倍 玩遊戲應該不會delay了

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.248.73.15
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※ 編輯: neo5277 (111.248.73.15), 07/29/2015 20:07:27
推 f204137     : 舊製程的東西都要被淘汰惹   GGG
真的只能 輪班了起碼晶圓還可以擋一下....
※ 編輯: neo5277 (111.248.73.15), 07/29/2015 20:10:00
推 jackred     : 這新聞我也有看到  但不敢貼
→ Alwen       : 2T的記憶體?，現在是要跟硬碟比大就是了
推 kuro85564   : 空死牙科
推 Lineage5415 : 跌亞科表示:
我猜他應該會說離實際應用還有一段距離我們不排除接洽研討技術這樣
※ 編輯: neo5277 (111.248.73.15), 07/29/2015 20:13:04
推 cecilia1520 : 這是英特爾還在下跌時 股神對他的信心來源嗎..
→ Justisaac   : 股神根本內線之神.........
推 CHIYAO100   : 牙科玩完了,真的有這獨家技術當然自己賺
推 ljsnonocat2 : 這應該是類似MRAM或是PCRAM的東西吧
→ ljsnonocat2 : 不曉得實際技術用哪個… 可能改變市場…
→ Alwen       : 不過還是保守看待，SSD剛出來也是很囂張，結果太貴
我是覺得看看有沒有變成產業規格現在SSD跟當初比也是不復當年 我是說價格
※ 編輯: neo5277 (111.248.73.15), 07/29/2015 20:44:12
推 heimaykiwi  : cross-point memory講很久了,RRAM,PCRAM都是這種
→ heimaykiwi  : 講講而已，要出來還有的等。memory測試標準太嚴格了
→ heimaykiwi  : IBM還有種racetrack更神，有MRAM的endurance/速度+
→ heimaykiwi  : 像磁帶極高的density,不過，IBM最近很慘阿...
→ heimaykiwi  : SSD規格反而可以低一點，因為endurance不必太高還可
→ heimaykiwi  : 可以用ECC軟體補正.
反正今年到明年如果是玩家 可以趁機會撿便宜組PC了 想起來就爽
※ 編輯: neo5277 (111.248.73.15), 07/29/2015 20:49:23
→ walelile    : Cooke said ...Although we’re very early in the
→ walelile    : stages of 3D XPoint’s development, both hinted
→ walelile    :  it could see the light of day as early as next
→ walelile    : year.  (Rob Cooke: Senior VP at Intel)
→ walelile    : 工廠在Lehigh, Utah. 美光CEO說他不會便宜
推 doubless    : 應該是RRAM的一種，但主要優點是不需要電晶體控制每
→ doubless    : 個Memory Cell`,
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※ 轉錄者: ljsnonocat2 (58.114.111.100), 07/29/2015 21:14:52
推 iEisen: 台廠如沒技術就等著被淘汰、倒閉,絕非危言聳聽
推 kanyewest927: 堅持進外商就是革新突破啊  台廠再用頭撞牆啊
推 jjkobe: 他怎樣儲存信號？
→ shaoweei: 台灣老闆: 還好我高瞻遠矚，沒砸錢搞研發，不然被電爆
推 bigmilky: 以後不需記憶體，直接進S5 資料也在