※ 引述《starsand (對自己負責)》之銘言：
: ※ 引述《NeoCPT (post blue)》之銘言：
: : 這和 CPU 架構設計有關
: : 隨著半導體製程演進, 電晶體的 gate oxide 越來越薄
: : 穿隧效應造成的"漏電", 使得晶片的耗電大增
: : 為了減少"漏電", 解決方案是降低工作電壓, 同時提高電流
: 為什麼是提高電流??
: 在CMOS製程下 K值一定的條件下
: I正比V^n
: 當工作電壓降低 I應該是變小
: 又如何提高電流呢@@
抱歉, 我講的不夠清楚..
電晶體電流越大, 對電容的充放電速度就越快
為了提高工作時脈, 電流勢必得提升 (藉由提高 W/L ratio)
就整顆晶片而言, 電晶體總數大增, 總電流增加得更多
例:
Pentium (60MHz) 約3A
Pentium 4 (3.8GHz) 約120A
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◆ From: 128.237.245.9
※ 編輯: NeoCPT 來自: 128.237.245.9 (11/29 05:45)