推 NeoCPT:喔喔, 我並沒有 "電流增加會讓漏電流減少" 這樣的意思 11/29 06:13
→ NeoCPT:只是剛好在那句後面提到, 電流的trend是在增加 11/29 06:13
推 starsand:嗯嗯 這樣子就沒問題了 哈哈 睡覺去 11/29 06:14
→ NeoCPT:我這裡剛天黑 XDD 11/29 06:15
推 starsand:哈哈 那就來換班拉 ...... 我去睡覺去了 11/29 06:16
: 抱歉, 我講的不夠清楚..
: 電晶體電流越大, 對電容的充放電速度就越快
這個不一定啦
並不是每個電晶體後面都有一個大的load
對單一電晶體來說 電流越大 w/l比是越大沒錯
但是卻也因此Cload=Cox*W*L也增加
因此充放電速度(Slew rate)可能因此變慢
: 為了提高工作時脈, 電流勢必得提升 (藉由提高 W/L ratio)
就上面我提到的藉由提高充放電速度來提高工作時脈
並不一定是要將電流變大 電流變大有幾個缺點
如漏電流增加 溫度上升導致K值下降
: 就整顆晶片而言, 電晶體總數大增, 總電流增加得更多
: 例:
: Pentium (60MHz) 約3A
: Pentium 4 (3.8GHz) 約120A
電晶體總數大增導致電流增加
其實和你說的漏電流減小其實是兩回事啦
所以我之前的回文是在疑問說
電流增加會讓漏電流減少 這點
所以你舉的P1和P4的例子其實不大恰當歐
而且以chip來講重視的應該是power而不是電流啦
呃.......天亮了
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