有需要的人可以參考一下
使用DDR記憶體的主機板，在記憶體存取時脈的部份有許多會影響效能的參數：
PH Limit（Page Hit Limit頁框命中數限制）
在選擇非Page Hit要求前，需要達到多少連續的Page Hit次數。
Idle Limit（閒置限制）
AMD建議設定為8個cycles（週期）。
Row Cycle Time（TRC／列週期時間）－越低越好
記憶體庫最低啟動時間。
RAS Precharge（TRP／RAS預充電時間）
在讀取記憶體區塊後，因為區塊內的電量不足以維持資料整合性，所以資料通常會流失。為了確保區塊內的存放資料正確性，資料會再寫回該區塊中。通常SDRAM需要2或3個cycle的預充電時間完成該動作。
RAS Active Time（TRAS／RAS啟動時間）－越低越好
存取開放頁框的未定址列區塊前，需要的延遲時間（由啟動到預充電的時間）。
CAS Latency（CL／CAS延遲時間）－越低越好
在記憶體定址後，系統必須要等待欄位址訊號（Column Address Strobe，CAS）以開始進行資料傳輸。依照記憶體的品質不同，可以設定為2或2.5個cycle（只有使用DDR記憶體才可以指定0.5 cycle單位）。目前大部分的PC2100 DDR SDRAM都沒辦法在CL2模式下跑。
RAS-to-CAS Delay（TRCD／RAS到CAS傳輸延遲）－越低越好
記憶體位址資訊（哪個區塊要被讀取）的傳輸步驟有二：首先先傳送列位址（row address），接著是欄位址（column address）。兩者中間，系統會暫停2或3個cycle來分隔兩個訊號。
雖然我測試用的Micron（美光）DDR記憶體是CL 2.5的模組，不過我在CL2模式下跑的也很正常。我的設定值如下：
PH Limit: 8
Idle Limit: 8
TRC: 5
TRP: 2
TRAS: 2
TCAS: 2
TRCD: 2
我必須要強調一件事，這些設定值只能用在特定的記憶體模組上，其他種類的記憶體設定也不同。如果您不知道如何設定您的記憶體，我建議您使用自動設定（AUTO）就好了。大部分的BIOS都會由SPD EEPROM讀取時脈設定資訊，不過有些低價的DIMM的EEPROM並沒有正確程式化，大部分的主機板都會用預設最慢的設定值來維持系統的穩定性。
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