※ 引述《konora (焦糖瑪奇朵~(b))》之銘言：
: 大家好~
: 我有一個問題想請教各位
: 單一顆電晶體 輸入和輸出都接bias-T模擬
: 發現到高頻時 都會不穩定.
: 這是什麼情形呢?
: 謝謝
不一定只有在高頻會震盪..根據我幾年的量測經驗..對於奈米級元件..
或者一些high gain化合物半導體HEMT BJT等等..只要你的GND或測試元件
LAYOUT沒做好..不管在低頻或高頻都會震盪..不信你可以去量量CV就知道..
低頻或是量DC時照樣振的亂七八糟..量出來完全是錯誤的數據..最主要原因還
是因為第一GND不好..第二寄生迴授路徑導致震盪..第三測試LAYOUT沒處理好..
最後和你量測所用的探針跟手法也有很大的影響..有些專門作量測有經驗的老前輩
他們超多絕招..會針對不同代測物而有不同的量測手法..別人量出來狂振..到他們手
裡卻超穩..
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