[問題] 經過bias-t結果好糟

[ninam (無聲的呢喃)]

我又有bias-t的問題了 冏.....
                       vdd 1.8v
                        |
                        3
                        3
output--------mmmmm-----3-----||-----
              2nh(bondwire)         |
                                    |
                                 50歐姆
                                    |
                                   ___
                                   gnd

bondwire部份由於我使用無ESD的PAD

所以寄生電容我先不考慮

關於這個bias-t我有問過三個人

可是size的scale都不一樣

版本一:L=2mH C=800p

版本二:L=143nH C=220uf

版本三:L=200uH C=150nf

可是這三各版本下去跑結果都是50歐姆那端在0那邊抖動

隔著電容的前一端則是在1.8以相同的range抖動(range約300mv)

就算我電路是一個簡單的delay 結果還是慘不忍睹

我操作頻率為八百多MHz

請問我的問題到底出在哪呢

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 59.105.135.143
推 pippyman:假如是open drain....看一下gate電壓
→ pippyman:夠不夠把電晶體打開
推 ninam:我有看過gate 是ok的 rail to rail
→ ninam:昨晚想了一下 bias-t是被動元件 而由
→ ninam:nmos看過去的阻抗似乎在100以下 gm通常為
→ ninam:幾mA/V 這樣怎能在50歐姆做大swing的波形呢
推 ninam:剛估過我的50歐姆跨壓約為gmR*(1.8-0.8)
→ ninam:所以要把swing我的gm必須要大到20~30mA/V摟