[請益] 關於VCO的兩篇論文

[winjun (帥到臉好痛)]

各位好:

我是VCO的新手，已讀過Razavi裡面14章振盪器與VCO相關章節，

不過還有許多疑問，上來請各位大大指教。

1.有關於phase noise的定義與物理意義?(才疏學淺,爬文還看不懂)

2.通常是什麼造成K_VCO的值不為常數，還有過大或過小的影響為何？

3.一般我們常看到逆偏的變容二極體(varactor)來控制電容，
　是否是因為當V_cont改變，因為電容值的改變，造成
　f_osc的改變？〔希望能確定我的想法〕

4.我看paper有提到SiGe HBT(異質接面雙極電晶體)的特色在於:
  low 1/f noise and high gain at microwave frequencies.
  請問它的機制或是特色所帶來的好處？

5.http://www.badongo.com/file/7556495
  這篇提到high linear的作法，利用四對diode和pMOS開關來做，
　當V_ctrl升高時，四對diode會依序打開，致使linearly。
　請問它的操作原理？

6.http://www.badongo.com/file/7556718
  看的懂這篇論文的數學公式，但是卻不不懂他結構上的好處，
　簡單來說看的懂數學看不懂背後的電機與物理意義。
　煩高手大略翻譯一下。


感謝ＶＣＯ的高手看完我的問題，
如果能讓自己更上一層樓，用力批沒關係。 Orz



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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 211.78.173.12
推 cpt:關於1, 我記得Thomas Lee有篇很經典的paper
→ cpt:可以上IEEE找找看
→ cpt:2:可能原因很多 看VCO怎麼設計 影響stability
→ cpt:3:沒錯就那樣 4:材料特性 好處是低phase noise
→ winjun:感謝樓上^^