→ aaming:謝謝BMW大, 我表達錯了...Orz 60.250.64.37 01/20 12:50
→ aaming:應該是本身的guard ring之外需再額外的圍 60.250.64.37 01/20 12:53
→ aaming:1~2圈, 避免寄生BJT導通 60.250.64.37 01/20 12:53
※ 引述《trexgene (hens)》之銘言：
: 請問在.35製程中
: body bias的電路部分，應該如何加上guard ring呢
: 謝謝
→ aaming:看一下你body bias的電壓大小決定guardring 220.136.32.66 01/10 21:06
→ aaming:的type 避免導通導致漏電流 220.136.32.66 01/10 21:07
不是這樣子的 @@
是要看你的substrate是那種type 0.35製程我印象中有支援 N-well
換句話說 NMOS --> P-substrate --> guard ring 用 OD 加上 P+ implant
PMOS --> N-substrate --> guard ring 用 OD 加上 N+ implant
guard ring 千萬不要亂包 萬一設計時有動用到Body偏壓 到時候偏壓給上去
電流到處亂竄 晶片怎麼死都不知道 XD
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我承認我對韓國貨有偏見..你咬我啊..XD
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