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我在一篇paper上讀到一段話 他說"減少supply voltage會對增益 NF 還有線性度造成負面的影響 特別是線性度的影響最大" 想請問為什麼對線性度的影響會最大? 因為我不是做RF的 對這裡不是很理解 翻Razavi的射頻微電子學好像也沒提到相關的資訊 想請教大家一下 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.218.186
linakai:看起來像是head room的問題193.190.253.150 02/13 06:44
linakai:就是VDD不夠大,壓縮了線性操作的空間193.190.253.150 02/13 06:45
linakai:因為線性操作要讓所有mos都在sat區中193.190.253.150 02/13 06:46
linakai:當VDD小的時候,輸入訊號power稍大就失真193.190.253.150 02/13 06:48
linakai:會立即反應到IIP3以及P1dB這兩個參數上193.190.253.150 02/13 06:49
ginnyisme:VDD直接反應了Vov的限制 同樣Id影響gm進 169.234.122.96 02/13 09:18
ginnyisme:而影響gain 所以增加Vdd&電流有幫助 169.234.122.96 02/13 09:20
ginnyisme:但一堆tradeoff, 要維持等電流w可能得變 169.234.122.96 02/13 09:22
ginnyisme:小,進而影響noise。所以才有新架構出現 169.234.122.96 02/13 09:23
ginnyisme:例如想辦法用並聯電晶體取消三階失真 169.234.122.96 02/13 09:25
ginnyisme:總之一大堆作法妳可以多看paper會有更多 169.234.122.96 02/13 09:25
ginnyisme:想法 169.234.122.96 02/13 09:25
fanbinary:多謝140.113.218.186 02/14 14:22